Fonte de alimentação de silício policristalino 0 ~ 50 V 0 ~ 5000A

Descrição do produto:

Especificações:

Parâmetros de entrada: trifásico, AC480V±10% ,60HZ

Parâmetros de saída: DC 0 ~ 50 V 0 ~ 5000A

Modo de saída: saída DC comum

Método de resfriamento: resfriamento a ar/resfriamento a água

Tipo de fonte de alimentação: baseada em IGBT

Indústria de aplicação: Pressão e redução do forno de redução de silício policristalino, crescimento de cristal

Tamanho do produto: 87*82.5*196cm

Peso líquido: 460kg

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Especificação
Tipo de torneira	Torneiras da pia do banheiro,
Tipo de instalação	Conjunto central,
Orifícios de instalação	Um buraco,
Número de alças	Alça única,
Terminar	Ti-PVD,
Estilo	País,
Taxa de fluxo	1,5 GPM (5,7 L/min) máximo,
Tipo de válvula	Válvula cerâmica,
Interruptor frio e quente	Sim,
Dimensões
Altura total	240mm (9,5"),
Altura do bico	155mm (6,1"),
Comprimento do bico	160mm (6,3"),
Centro da torneira	Único Buraco,
Material
Material do corpo da torneira	Latão,
Material do bico da torneira	Latão,
Material da alça da torneira	Latão,
Informações sobre acessórios
Válvula incluída	Sim,
Dreno incluído	Não,
Pesos
Peso Líquido (kg)	0,99,
Peso de envio (kg)	1.17,

recurso

Parâmetros de entrada

Entrada CA 480v±10% Trifásica
Parâmetros de saída

DC 0~50V 0~5000A continuamente ajustável
Potência de saída

250 kW
Método de resfriamento

resfriamento de ar forçado/resfriamento de água
CLP Analógico

0-10 V/ 4-20 mA/ 0-5 V
Interface

RS485/RS232
Modo de controle

projeto de controle remoto
Exibição na tela

display digital
Múltiplas Proteções

falta de fase sobreaquecimento sobretensão sobrecorrente curto-circuito
Maneira de controle

CLP/Microcontrolador

Modelo e dados

Número do modelo	Ondulação de saída	Precisão de exibição atual	Precisão de exibição de volts	Precisão CC/CV	Aceleração e desaceleração	Exagerar
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5%	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Aplicações de produtos

Polissilício é uma forma de silício elementar. Quando o silício elementar fundido solidifica sob a condição de super-resfriamento, os átomos de silício são organizados em muitos núcleos cristalinos na forma de uma rede de diamante. Se esses núcleos cristalinos crescerem em grãos com diferentes orientações de planos cristalinos, então esses grãos se combinam para cristalizar em silício policristalino.