Fonte de alimentação de silício policristalino 0~50V 0~5000A

Descrição do produto:

Especificações:

Parâmetros de entrada: trifásico, AC480V±10%, 60HZ

Parâmetros de saída: DC 0~50V 0~5000A

Modo de saída: Saída CC comum

Método de resfriamento: resfriamento a ar/resfriamento a água

Tipo de fonte de alimentação: baseada em IGBT

Indústria de aplicação: Pressão e redução do forno de redução de silício policristalino, crescimento de cristal

Tamanho do produto: 87*82,5*196cm

Peso líquido: 460 kg

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Especificação
Tipo de torneira	Torneiras de pia de banheiro,
Tipo de instalação	Conjunto central,
Furos de instalação	Um buraco,
Número de alças	Alça única,
Terminar	Ti-PVD,
Estilo	País,
Taxa de fluxo	1,5 GPM (5,7 L/min) máx.,
Tipo de válvula	Válvula de cerâmica,
Troca de frio e quente	Sim,
Dimensões
Altura total	240 mm (9,5"),
Altura do bico	155 mm (6,1"),
Comprimento do bico	160 mm (6,3"),
Centro de torneira	Furo único,
Material
Material do corpo da torneira	Latão,
Material da bica da torneira	Latão,
Material da alça da torneira	Latão,
Informações sobre acessórios
Válvula incluída	Sim,
Dreno incluído	Não,
Pesos
Peso líquido (kg)	0,99,
Peso de envio (kg)	1.17,

Parâmetros de entrada

Entrada CA 480 V ± 10% trifásica
Parâmetros de saída

DC 0~50V 0~5000A continuamente ajustável
Potência de saída

250 kW
Método de resfriamento

resfriamento por ar forçado / resfriamento por água
PLC Analógico

0-10 V/ 4-20 mA/ 0-5 V
Interface

RS485/ RS232
Modo de controle

design de controle remoto
Exibição de tela

display digital
Proteções Múltiplas

falta de fase superaquecimento sobretensão sobrecorrente curto-circuito
Caminho de controle

CLP/ Microcontrolador

Modelo e Dados

Número do modelo	Ondulação de saída	Precisão de exibição atual	Precisão de exibição de volts	Precisão CC/CV	Aceleração e desaceleração	Exceder
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5%	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Aplicações do produto

O polissilício é uma forma de silício elementar. Quando o silício elementar fundido se solidifica sob a condição de super-resfriamento, os átomos de silício se organizam em diversos núcleos cristalinos na forma de uma rede de diamante. Se esses núcleos cristalinos se transformam em grãos com diferentes orientações do plano cristalino, esses grãos se combinam para cristalizar em silício policristalino.